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MRFG35010R1分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRFG35010R1 |
| 參數屬性 | MRFG35010R1 封裝/外殼為NI-360HF；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF |
| 功能描述 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
373.7 Kbytes |
| 頁面數量 |
11 頁 |
| 生產廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導體官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-5 22:30:00 |
MRFG35010R1規(guī)格書詳情
3.5 GHz, 10 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT
Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from 1800 to 3600 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or Class A linear base station applications.
? Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts, IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A @ 0.01 Probability)
Output Power — 1 Watt
Power Gain — 10 dB
Efficiency — 30
? 10 Watts P1dB @ 3550 MHz
? Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
產品屬性
- 產品編號：
MRFG35010R1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
pHEMT FET
- 頻率：
3.55GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 輸出：
10W
- 封裝/外殼：
NI-360HF
- 供應商器件封裝：
NI-360HF
- 描述：
FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCA |
2020+ |
NI-360H |
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NI-360H |
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