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MRFG35030R5分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRFG35030R5
廠商型號

MRFG35030R5

參數(shù)屬性

MRFG35030R5 封裝/外殼為HF-600;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 3.55GHZ HF-600

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

封裝外殼

HF-600

文件大小

263.88 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-4 17:08:00

MRFG35030R5規(guī)格書詳情

3550 MHz, 30 W, 12 V SINGLE W?CDMA POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL base station applications with frequencies from 3400 to 3600 MHz. Suitable for TDMA and CDMA amplifier applications. To be used in Class AB applications.

? Typical Single?Carrier W?CDMA Performance: VDD = 12 Volts, IDQ = 650 mA, Pout = 3 Watts Avg., f = 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain —12 dB

Drain Efficiency — 21

ACPR @ 5 MHz Offset — ?41 dBc @ 3.84 MHz Channel Bandwidth

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Excellent Thermal Stability

? In Tape and Reel. R5 Suffix = 50 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFG35030R5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    3.55GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 輸出:

    3W

  • 封裝/外殼:

    HF-600

  • 描述:

    FET RF 15V 3.55GHZ HF-600

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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