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NP80N03CDE	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N03CDE	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N03CDE	文件：372.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NP80N03CDE-S12-AZ	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
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NP80N03CLE	文件：372.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NP80N03CLE	文件：429.64 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=26	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N03CLE	文件：96.86 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N03CLE	文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N03DDE	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N03DDE	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N03DDE	文件：281.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NP80N03DLE	文件：429.64 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=26	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N03DLE	文件：96.86 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N03DLE	文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N03DLE	文件：281.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NP80N03EDE	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N03EDE	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N03EDE	文件：345.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NP80N03ELE	文件：429.64 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?ChannelTemperature175degreerated ?SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=26	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細參數(shù)

型號：
NP80N03CDE
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	NP80N03CDE	NEC	24+	TO-220AB	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	NP80N03CDE	NEC	23+	TO-252	9500	專業(yè)優(yōu)勢供應	詢價
深圳市近平電子有限公司	NP80N03CDE	NEC	6000	面議	19	TO-220AB	詢價
京海半導體(深圳)有限公司	NP80N03CDE	VB	21+	TO-220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NP80N03CDE	NEC	2022+	TO-220AB	12888	原廠代理終端免費提供樣品	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	NP80N03CDE	NEC	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	NP80N03CDE	NEC	22+	TO-220	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	NP80N03CDE	NEC	24+	TO-TO-220	37650	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	NP80N03CLE		VB	TO-220AB	68900	原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	NP80N03CLE	日本NEC	23+	TO220	33000	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價

更多NP80N03CDE供應商更新時間2025-1-19 15:30:00

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