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UPA2792AGR-E2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2792AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=5A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5A) P-channelRDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2792AGR-E2-AT供應(yīng)商 更新時間2024-11-14 16:00:00

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