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UPA2793AGR-E2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2793AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS

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更多UPA2793AGR-E2-AT供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 8:56:00

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