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IRF1018ES	文件：299.96 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1018ESLPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESLPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR1018E	文件：335.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤8.4m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR1018EPBF	文件：366.84 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETTMPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR1018ETRPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1018E	文件：247.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU1018EPBF	文件：366.84 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETTMPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1018EPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
ISF1018	文件：334.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=0.073Ω(typ.) ·EasytocontrolGateswitching ·Enhancementmode :Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1.5mA) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KIT1018S	文件：253.66 Kbytes Page：4 Pages	PhotoInterrupter	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團	KODENSHI
KT1018TLD	文件：178.09 Kbytes Page：10 Pages	4PINLSOPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	COSMO COSMO Electronics Corporation	COSMO
KT1018TRU	文件：178.09 Kbytes Page：10 Pages	4PINLSOPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	COSMO COSMO Electronics Corporation	COSMO
LD1018	文件：386.11 Kbytes Page：24 Pages	16ChannelConstantCurrentLEDDriver	LDT LDT Co., Ltd	LDT
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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF1018EPBFM	IR	22+	TO220	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF1018EPBFMOSFET或IGBT開關(guān)IC	IR	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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更多IRF1018EPBFM供應(yīng)商更新時間2025-1-7 10:00:00

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