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IRF5210S	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210S	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF5210S	文件：998.16 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch100VFastSwitchingMOSFETs 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable SuperLowGateCharge ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRF5210SPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210SPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210SPBF	文件：318.93 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF5210STRLPBF	文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210STRR	文件：207.79 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFG5210	文件：191.63 Kbytes Page：12 Pages	200V,Combination2N-2P-CHANNELHEXFETMOSFETTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFG5210	文件：192.64 Kbytes Page：12 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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更多IRF5210PBFIC供應商更新時間2024-2-28 14:38:00

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