99久热精品免费观看98,一级爽快片高清在线观看,岛国大片在线播放免费

首頁 >IRF530NPBF(IR)>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRF530NS	文件：618.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NS	文件：1.5565 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF530NS	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NS	文件：189.19 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF530NS	文件：1.01006 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?LowThermalResistancePackage ?100RgTested APPLICATIONS ?IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF530NSPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NSPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NSTRLPBF	文件：876.19 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NSTRRPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530PBF	文件：3.55687 Mbytes Page：7 Pages	Dynamicdv/dtRating,FastSwitching,EaseofParalleling,SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRF530PBF	文件：608.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530PBF	文件：280.81 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF530R	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETsAvalancheEnergyRated	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF530S	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530S	文件：180.1 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF530S	文件：171.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF530S	文件：916.94 Kbytes Page：8 Pages	Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF530S	文件：1.00811 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF530S	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530SPBF	文件：1.83154 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

12 3 >>>

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF530NPBF(IR)	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF530NPBF(IR)	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF530NPBF(IR)	IR	23+		7000		詢價
深圳市賽美科科技有限公司	IRF530NPBF(ROHS)	VISHAY		TO-220	35200	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳市金芯陽科技有限公司	IRF530NPBF(墨西哥)	RENESAS	2021++	DIP14	10000	原裝正品價格優(yōu)勢!歡迎詢價QQ:385913858TEL:15	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRF530NPBFFETIGBTIC	IR	23+	TO-220	66757590	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF530NPBFIC	IR	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	IRF530NPBFIC	IR	2022	TO220	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	IRF530NPBFIC	INFINEON/英飛凌	22+	TO-220	4500	低價!原裝!實(shí)單必成!	詢價
深圳市柯爾基電子有限公司	IRF530NPBF-MEXICO	IR	23+24	TO-220AB	39820	主營IR.原裝原盤原盒、提供BOM一站式配單	詢價

更多IRF530NPBF(IR)供應(yīng)商更新時間2025-1-16 10:00:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存