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IRF630NS	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.30ohm,Id=9.3A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NS	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,9.3A,0.30? Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200?(Typ),VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF630NS	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NS	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
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IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
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IRF630NSRPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NSTRLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF

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深圳市科雨電子有限公司	IRF630NPBFIC	IR	2111	TO-220	1000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF630NPBFMOS(場效應(yīng)管)	IR/國際整流器	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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