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IRF640T中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF640T
廠商型號(hào)

IRF640T

功能描述

N-channel 200V - 0.15廓 - 15A - TO-220 MESH OVERLAY??Power MOSFET

文件大小

247.31 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-19 8:50:00

IRF640T規(guī)格書詳情

Description

This Power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY? process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources

General features

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitances

Applications

■ Switching application

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF640T

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
23+
TO-220
7000
詢價(jià)
INTERNATI
24+
35200
一級代理/放心采購
詢價(jià)
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24+
500000
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