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IRF9Z24PBF	文件：1.81473 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24PBF	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24PBF	文件：1.50137 Mbytes Page：8 Pages	power mosfet	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24PBF-BE3	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24S	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24S	文件：311.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24S	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surfacemount(IRF9Z24S,SiHF9Z24S) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24SPBF	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24SPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24STRL	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24STRLPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24STRLPBFA	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24STRR	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24STRRPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z24STRRPBFA	文件：207.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z24G	文件：2.028 Mbytes Page：7 Pages	IsolatedPackage	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFI9Z24G	文件：1.50693 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z24G	文件：173.66 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9Z24GPBF	文件：1.50693 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9Z24N	文件：119.52 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF9Z24PBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF9Z24PBF	Vishay Siliconix	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IRF9Z24PBF	VISHAY/威世	24+	TO-220	339	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF9Z24PBF	VISHAY(威世)	23+	TO-220	7828	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRF9Z24PBF	IR	17+	TO-220	6200		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF9Z24PBF	VISHAY	23+	TO220AB	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF9Z24PBF	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	IRF9Z24PBF	VIS	22+23+	TO-220	26926	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRF9Z24PBF	IR/VISH	21+		65230		詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	IRF9Z24PBF	VISHAY/威世	23+	TO-220	30000	全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF9Z24PBF	VISHAY/威世	22+	TO-220F	5623	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)

更多IRF9Z24PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 10:12:00

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