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IRF9Z34L	文件：334.68 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34L	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34LPBF	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9Z34LPBF	文件：1.21157 Mbytes Page：10 Pages	Surface Mount Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34N	文件：108.25 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.10ohm,Id=-19A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34N	文件：1.07034 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34N	文件：335.54 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9Z34NL	文件：273.72 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9Z34NL	文件：1.19237 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34NL	文件：162.29 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.10ohm,Id=-19A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34NLPBF	文件：1.1075 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34NPBF	文件：245.08 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?POWERMOSFET HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34NS	文件：162.29 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.10ohm,Id=-19A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
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IRF9Z34NS	文件：298.08 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9Z34NS	文件：1.07424 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34NS	文件：931.22 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF9Z34L
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IRF9Z34L供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 17:15:00

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