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IRFB812	文件：338.12 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB812PBF	文件：260.12 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB812PBF	文件：259.87 Kbytes Page：8 Pages	ZERO VOLTAGE SWITCHING SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB812PBF_15	文件：259.87 Kbytes Page：8 Pages	ZERO VOLTAGE SWITCHING SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR812	文件：335.67 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFR812PBF	文件：228.8 Kbytes Page：9 Pages	ZEROVOLTAGESWITCHINGSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR812PBF	文件：228.8 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR812TRPBF	文件：228.8 Kbytes Page：9 Pages	ZEROVOLTAGESWITCHINGSMPS	IRF International Rectifier	IRF
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ISDCB812	文件：65.5 Kbytes Page：1 Pages	ISDCB8RibbonCableDataSheet	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
KPEG-812	文件：223.07 Kbytes Page：5 Pages	SPECIFICATIONFORAPPROVAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
KSA812	文件：74.69 Kbytes Page：2 Pages	PNP(LOWFREQUENCYAMPLIFIER) LOWFREQUENCYAMPLIFIER ?ComplementtoKSC1623 ?Collector-BaseVoltageVCBO=-60V	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
KSA812	文件：58.96 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyAmplifier LowFrequencyAmplifier ?Collector-BaseVoltage:VCBO=-60V ?ComplementtoKSC1623	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
KSA812	文件：64.44 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
KSA812	文件：64.44 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
KSA812OMTF	文件：64.44 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
KSA812YMTF	文件：64.44 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
KTC812E	文件：78.31 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?Asuper-minimoldpackagehouses2transistor. ?Excellenttemperatureresponsebetweenthese2transistor. ?HighpairingpropertyinhFE. ?ThefollwingcharacteristicsarecommonforQ1,Q2.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KTC812T	文件：408.88 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?HighEmitter-BaseVoltage:VEBO=25V(Min.) ?HighReversehFE :ReversehFE=150(Typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA) ?LowonResistance:RON=1(Typ.),(IB=5mA)	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KTC812T	文件：15.9 Kbytes Page：1 Pages	TS6PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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詳細參數(shù)

型號：
IRFB812
功能描述：
MOSFET Gen 10.7 FredFet 500V 1.5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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