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IRFR1010Z

AUTOMOTIVE MOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp

IRF

International Rectifier

IRFR1010Z

Advanced Process Technology

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR1018E

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤8.4m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFR1018EPBF

HEXFET TM Power MOSFET

Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching

IRF

International Rectifier

IRFR1018EPBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching

IRF

International Rectifier

IRFR1018ETRPBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching

IRF

International Rectifier

IRFR1010Z

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFR1010ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFR1010ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR1010ZPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFR10

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
22+
原廠封裝
9450
原裝正品，實單請聯(lián)系
 詢價
IR
17+
D-Pak
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IR
24+
TO-252
500866
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
IR
24+
N/A
8000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
 詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
IR
23+
TO-252
35890
詢價
IR
24+
D-Pak
8866
詢價
IR
24+
原廠封裝
200
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
23+
D-Pak
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
24+
TO-252
2560
絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣!
 詢價
更多IRFR10供應商 更新時間2025-3-21 17:58:00

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