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IRG4BC10SD-L

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC10SD-L

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC10SD-L

包裝：管件 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 14A 38W TO262

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC10SD-LPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC10SD-LPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 14A 38W TO262

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC10SDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

StandardSpeedCoPackIGBT Features ?Extremelylowvoltagedrop1.1Vtyp.@2A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. ?VeryTightVce(on)distribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-so

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International Rectifier

IRG4BC10SD-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC10SD-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC10SD-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC10SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Extremelylowvoltagedrop;1.1Vtypicalat2A ?S-Speed:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives,upto2KHzinChopperApplications ?VeryTightVce(on)distribution ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?

IRF

International Rectifier

IRG4BC10UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

UltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating upto80kHzinhardswitching,>200kHzin resonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousGeneration ?IGBTco-packagedwith

IRF

International Rectifier

IRG4BC10UDPBF

INDUSTRYSTANDARDTO-220ABPACKAGE

IRF

International Rectifier

IRG4BC10UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISROTWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODEUltraFastCoPackIGBT

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4BC10SD-L

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，8A

  • 開關(guān)能量：

    310μJ（開），3.28mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    76ns/815ns

  • 測試條件：

    480V，8A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-262

  • 描述：

    IGBT 600V 14A 38W TO262

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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Infineon Technologies
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更多IRG4BC10SD-L供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 16:24:00

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