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IRG4BC20FD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FD

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FD

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC20FDPBF

INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FD-STRL

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FDPBF

OPTIMIZED FOR MEDIUM OPERATING

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FDPBF_15

OPTIMIZED FOR MEDIUM OPERATING

IRF

International Rectifier

IRG4BC20FD-S

包裝：管件 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC20FD-SPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 16A 60W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4BC20FD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，9A

  • 開關能量：

    250μJ（開），640μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    43ns/240ns

  • 測試條件：

    480V，9A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 16A 60W TO220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRG4BC20FD供應商 更新時間2024-11-15 11:04:00

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