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IRG4BC20KD-S	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KD-SPBF	文件：364.28 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20KS	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20K-S	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20K-SPBF	文件：298.04 Kbytes Page：9 Pages	ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD	文件：251.74 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features ?Rugged:10μsecshortcircuitcapableatVGS=15V ?LowVCE(on)for4to10kHzapplications ?IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforinterme	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MDPBF	文件：296.44 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?Rugged:10μsecshortcircuitcapableatVGS=15V ?LowVCE(on)for4to10kHzapplications ?IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benefits ?Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermed	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MDS	文件：200.72 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features ?Rugged:10μsecshortcircuitcapableatVGS=15V ?LowVCE(on)for4to10kHzapplications ?IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode ?IndustrystandardD2Pakpackage Benefits ?Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermediateapplication	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD-S	文件：200.72 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features ?Rugged:10μsecshortcircuitcapableatVGS=15V ?LowVCE(on)for4to10kHzapplications ?IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode ?IndustrystandardD2Pakpackage Benefits ?Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermediateapplication	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD-S	文件：298.37 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20MD-SPBF	文件：298.37 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC20S	文件：157.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SD	文件：287.8 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A) Features ?Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. ?VeryTightVce(on)distribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-para	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SDPBF	文件：325.61 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. ?VeryTightVce(on)distribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-paralleldio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SDS	文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SD-S	文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)	IRF International Rectifier	IRF
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詳細參數(shù)

型號：
IRG4BC20KD-S
功能描述：
IGBT UFAST 600V 16A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列：
-
標準包裝：
30
系列：
GenX3™ IGBT
類型：
PT 電壓 -
集電極發(fā)射極擊穿（最大）：
1200V Vge,
Ic時的最大Vce（開）：
3V @ 15V，100A 電流 -
集電極(Ic)（最大）：
200A 功率 -
最大：
830W
輸入類型：
標準
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PLUS247?-3
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRG4BC20KD-S供應(yīng)商更新時間2025-1-7 10:31:00

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