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IRG4PC50FPBF	文件：327.62 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowGateDriveRequirement ·HighCurrentHandlingCapability ·ShortCircuitCapability ·HighPowerDensity APPLICATIONS ·PowerInverters ·MotorDrives ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRG4PC50FPBF	文件：313.65 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50FPBF	文件：304.68 Kbytes Page：8 Pages	FastSpeedIGBT-INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR FastSpeedIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50K	文件：115.6 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V,@Vge=15V,Ic=30A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanpreviousgenerat	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KD	文件：374 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V,@Vge=15V,Ic=30A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ●ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ●Generation4IGBTdesignprovidestigh	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KDPBF	文件：650.34 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhigh operationfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRated to10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFRE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KDPBF	文件：651.3 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KPBF	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KPBF	文件：239.98 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanpreviousgenerati	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50S	文件：164.62 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.28V,@Vge=15V,Ic=41A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.28V @VGE=15V,IC=41A Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50SDPBF	文件：385.89 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE StandarddSpeedCoPackIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50S-P	文件：151.16 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT ?Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable ?IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions ?Designedtobeadrop-inreplacementforequivalentindustry-standardGeneration3IRIGBTs Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequen	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50SPBF	文件：983.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50SPBF	文件：982.79 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR VCES=600V VCE(on)typ.=1.28V @VGE=15V,IC=41A Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50U	文件：147.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?Industrystan	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50UD	文件：375.18 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=27A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRG4PC50UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50UD	文件：213.92 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-pack	IRF International Rectifier	IRF

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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRG4PC50FEPBF	Infineon Technologies	22+	TO247AD	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
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更多IRG4PC50FEPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 15:30:00

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