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IRGSL4B60KD1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRGSL4B60KD1 |
| 參數(shù)屬性 | IRGSL4B60KD1 封裝/外殼為T(mén)O-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT NPT 600V 11A TO262 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH |
| 封裝外殼 | TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
376.95 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
IRF |
| 中文名稱(chēng) | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-20 22:30:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRGSL4B60KD1PBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類(lèi)型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，4A
- 開(kāi)關(guān)能量：
73μJ（開(kāi)），47μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
22ns/100ns
- 測(cè)試條件：
400V，4A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-262
- 描述：
IGBT NPT 600V 11A TO262
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO262 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7300 |
專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-262 |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7300 |
專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
NA |
68932 |
全新原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
