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IXFN170N10

HiPerFET Power MOSFET

HiPerFET?PowerMOSFET SingleMOSFETDie Features ?Internationalstandardpackages ?EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification ?miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwi

IXYS

IXYS Corporation

CEB170N10S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEF170N10S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP170N10S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

FIR170N10PG

100VN-ChannelPowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FIR170N10RG

N-ChannelPowerMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

IXFH170N10P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH170N10P

PolarHiperFETPowerMOSFET

Polar?HiperFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?Spac

IXYS

IXYS Corporation

IXFK170N10

HiPerFETPowerMOSFET

HiPerFET?PowerMOSFET SingleMOSFETDie Features ?Internationalstandardpackages ?EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification ?miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwi

IXYS

IXYS Corporation

IXFK170N10P

PolarHiperFETPowerMOSFET

Polar?HiperFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?Spac

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFN170N10

  • 功能描述：

    MOSFET 170 Amps 100V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
德國(guó)IXYS艾塞斯
23+
MOUDLE
12000
原裝正品假一罰十支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
19+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
 詢價(jià)
IXYS
1999+
66
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
IXYSCORPORAT
05+
原廠原裝
4218
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IXYS
23+
MOSFETN-CH100V170ASOT-22
1690
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價(jià)
IXYS場(chǎng)效應(yīng)
100
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠
 詢價(jià)
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IXYS
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
IXYS
2023+
MODULE
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
24+
2173
公司大量全新正品 隨時(shí)可以發(fā)貨
 詢價(jià)
更多IXFN170N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 17:26:00

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