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FGA25N120FTD	文件：815.52 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH25N120FTDS	文件：711.13 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25AFieldStopTrenchIGBT GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforhardswitchingapplicationsuchassolarinverter,UPS,welderandPFCapplications. Features ?HighSpeedSwitching ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.60V@	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGW25N120VD	文件：679.74 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/25A Features Lowpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise Highreliability,highruggedness(RBSOA,SCSOAetc.) Applications InverterforMotordrive ACandDCServodriveamplifer Uninterruptiblepowersupply	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
HGH25N120A	文件：996.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementInsulatedGateBipolarTransistor	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
HIH25N120TN	文件：870.21 Kbytes Page：8 Pages	1200VNPTTrenchIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HM25N120FT	文件：1.21274 Mbytes Page：7 Pages	1200V/25ATrenchFieldStopIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM25N120T	文件：548.35 Kbytes Page：8 Pages	DAXIN??IGBTsofferlowerlossesandhigherenergyforapplicationsuchasmotordrive,UPS,inverterandothersoftswitchingapplications.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IXEH25N120	文件：182.34 Kbytes Page：4 Pages	NPT3IGBT Features ?NPT3IGBT -positivetemperaturecoefficientof saturationvoltageforeasyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits ?optionalHiPerFRED?diode -fastreverserecovery -lowoperatingforward	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH25N120	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH25N120A	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH25N120A	文件：32.61 Kbytes Page：2 Pages	IGBT IGBTImprovedSCSOACapability Features ?SecondgenerationHDMOSTMprocessLowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
K25N120	文件：329.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KGF25N120KDA	文件：1.57082 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGH25N120NDA	文件：64.44 Kbytes Page：6 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA GeneralDescription KECNPTIGBTsofferlowestlossesandhighestenergyefficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,Generalinverterandothersoftswitchingapplications. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highersystemefficiency ·Softcurrentturn-offwavef	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120KDA	文件：567.69 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120KDA	文件：573.35 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120NDA	文件：123.9 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120NDH	文件：1.48621 Mbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
MGY25N120	文件：228.6 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MGY25N120	文件：153.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FGA25N120ANTDTUX
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述：
Transistor IGBT N-Ch 1.2KV 50A TO-3P(N)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳兆威電子有限公司	FGA25N120ANTDTU功率三極管	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220F	90000	只做原廠渠道價(jià)格優(yōu)勢可提供技術(shù)支持	詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	FGA25N120ANTDTU功率三極管	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-247	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
深圳市湘達(dá)電子科技有限公司	FGA25N120ANTDTU功率三極管	FAIRCHILD/仙童	2022+	TO-3PN	8000	只做原裝支持實(shí)單,有單必成。	詢價(jià)
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	FGA25N120ANTDTU功率三極管	ON/安森美	2122+	TO-3PN	60000	全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十	詢價(jià)
深圳市東來寶電子科技有限公司	FGA25N120ANTDTU功率三極管	FAIRCHILD/仙童	22+	TO3P	128038	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	FGA25N120ANTDTU功率三極管	FAIRCHILD/仙童	2023+	TO-3P	20000	AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
利廣微科技（深圳)有限公司	FGA25N120ANTD功率三極管	FAIRCHILD/仙童		標(biāo)準(zhǔn)封裝	57218	一級代理原裝正品現(xiàn)貨期貨均可訂購	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FGA25N120ANTD功率三極管	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-3P	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	FGA25N120ANTD功率三極管	FAIRCHILD/仙童	2022	TO-3P	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市鵬錦翔科技有限公司	FGA25N120ANTD功率三極管	FAIRCHILD/仙童	21+	TO-3P	15000	全新原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)

更多FGA25N120ANTDTUX供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 17:18:00

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