首頁(yè) >FGH25N120FTDS>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)下載&訂購(gòu)功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

FGH25N120FTDS

1200V, 25A Field Stop Trench IGBT

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforhardswitchingapplicationsuchassolarinverter,UPS,welderandPFCapplications. Features ?HighSpeedSwitching ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.60V@

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGH25N120FTDS

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 50A 313W TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGW25N120VD

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/25A

Features Lowpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise Highreliability,highruggedness(RBSOA,SCSOAetc.) Applications InverterforMotordrive ACandDCServodriveamplifer Uninterruptiblepowersupply

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

HGH25N120A

N-ChannelEnhancementInsulatedGateBipolarTransistor

HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司

HIH25N120TN

1200VNPTTrenchIGBT

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HM25N120FT

1200V/25ATrenchFieldStopIGBT

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM25N120T

DAXIN??IGBTsofferlowerlossesandhigherenergyforapplicationsuchasmotordrive,UPS,inverterandothersoftswitchingapplications.

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

IXEH25N120

NPT3IGBT

Features ?NPT3IGBT -positivetemperaturecoefficientof saturationvoltageforeasyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits ?optionalHiPerFRED?diode -fastreverserecovery -lowoperatingforward

IXYS

IXYS Corporation

IXGH25N120

LowVCE(sat)HighspeedIGBT

LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC

IXYS

IXYS Corporation

IXGH25N120A

LowVCE(sat)HighspeedIGBT

LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC

IXYS

IXYS Corporation

IXSH25N120A

IGBT

IGBTImprovedSCSOACapability Features ?SecondgenerationHDMOSTMprocessLowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switc

IXYS

IXYS Corporation

K25N120

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

KGF25N120KDA

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KGH25N120NDA

SEMICONDUCTORTECHNICALDATA

GeneralDescription KECNPTIGBTsofferlowestlossesandhighestenergyefficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,Generalinverterandothersoftswitchingapplications. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highersystemefficiency ·Softcurrentturn-offwavef

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KGT25N120KDA

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KGT25N120KDA

SEMICONDUCTORTECHNICALDATA

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KGT25N120NDA

SEMICONDUCTORTECHNICALDATA

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KGT25N120NDH

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

MGY25N120

InsulatedGateBipolarTransistor

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MGY25N120

InsulatedGateBipolarTransistor

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGH25N120FTDS

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，25A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.42mJ（開(kāi)），1.16mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    26ns/151ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，25A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 313W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
TO-247
1224
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD
2024+
TO-247
32560
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨
 詢(xún)價(jià)
onsemi/安森美
新批次
TO-247
4500
詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
FairchildSemiconductor
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
 詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD
22+23+
TO247
74869
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD/仙童
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)
FSC
2020+
TO247
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢(xún)價(jià)
ON/安森美
24+
SMD
450
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
更多FGH25N120FTDS供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-27 23:00:00

相關(guān)規(guī)格書(shū)

更多

相關(guān)庫(kù)存

更多