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IDT71V35761S166PFI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761S166PFI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT71V35761S166PFI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V35761S166PFG	文件：319.72 Kbytes Page：23 Pages	128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V35761S166PFGI	文件：319.72 Kbytes Page：23 Pages	128Kx363.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: Commercial: –200MHz3.1nsclockaccesstime CommercialandIndustrial: –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆3.3Vcorepowersupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71V35761S166BG	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT71V35761S166BGI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761S166BQ	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT71V35761S166BQI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761S166PF	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Description TheIDT71V35761/781arehigh-speedSRAMsorganizedas128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,addressandcontrolregisters.InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritec	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761S166PFG	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V35761S166PFGI	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IDT71V35761S166PFI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
存儲容量：
4.5Mb（128K x 36）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
100-LQFP
供應(yīng)商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市昌和盛利電子有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT	23+	100TQFP	9526		詢價
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT	23+	100-TQFP(14x14)	36430	專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價格優(yōu)勢!	詢價
深圳市福安甌科技有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT	22+	QFP	3013	⊙⊙新加坡大量現(xiàn)貨庫存,深圳常備現(xiàn)貨!歡迎查詢!⊙	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳誠思涵科技有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT	18+	TQFP	85600	保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT, Integrated Device Technol	24+	100-TQFP(14x14)	56200	一級代理/放心采購	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT	20+	QFP-100	1001	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT	22+	100TQFP	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT	21+	100TQFP	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IDT71V35761S166PFI	IDT	23+	100TQFP	9000	原裝正品，支持實單	詢價

更多IDT71V35761S166PFI供應(yīng)商更新時間2025-1-17 10:10:00

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