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IRF3710ZPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF3710ZS

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp

IRF

International Rectifier

IRF3710ZS

AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF3710ZS

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF3710ZSPBF

AUTOMOTIVEMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpr

IRF

International Rectifier

IRFI3710

HEXFETPowerMOSFET

Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)

IRF

International Rectifier

IRFN3710

TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.028ohm,Id=45A)

100Volt,0.028?,HEXFET Generation5HEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignforwhichHEXFETsarewellknown,prov

IRF

International Rectifier

IRFN3710

N??HANNELPOWERMOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

IRFP3710

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025W,Id=57A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP3710

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FullyAvalancheRated ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤25m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF3710L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 57A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
17+
TO-262
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IR
24+
TO-262
8866
詢價
IR
23+
TO-262
7600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
23+
TO-262
35890
詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價
IR
23+
TO-262-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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INFINE0N
21+
I2PAK (TO-262)
32568
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
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INTERNATIONALRECTIFIER
24+
NA
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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INTERNATIONALRECTIFIER
2447
NA
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
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INFINEON
1503+
TO-262
3000
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更多IRF3710L供應(yīng)商 更新時間2025-5-7 10:00:00

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