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IRF7807PBF	文件：208.68 Kbytes Page：8 Pages	NChannelApplicationSpecificMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7807TR	文件：382.19 Kbytes Page：8 Pages	ControlFETforNotebookProcessorPower Features Applications ControlFETforNotebookProcessorPower SynchronousRectifierMOSFETfor GraphicsCardsandPOLConvertersin NetworkingandTelecommunicationSystems VDS(V)=30V RDS(ON)13.8m(VGS=10V) RDS(ON)18.2m(VGS=4.5V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7807TR	文件：347.55 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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IRF7807V	文件：159.95 Kbytes Page：8 Pages	NChannelApplicationSpecificMOSFET Description ThisnewdeviceemploysadvancedHEXFETPowerMOSFETtechnologytoachieveanunprecedentedbalanceofon-resistanceandgatecharge.ThereductionofconductionandswitchinglossesmakesitidealforhighefficiencyDC-DCConvertersthatpowerthelatestgenerationofmobilemicropr	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7807VPBF	文件：192.3 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThisnewdeviceemploysadvancedHEXFETPowerMOSFETtechnologytoachieveanunprecedentedbalanceofon-resistanceandgatecharge.ThereductionofconductionandswitchinglossesmakesitidealforhighefficiencyDC-DCConvertersthatpowerthelatestgenerationofmobilemicropr	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7807Z	文件：266.74 Kbytes Page：10 Pages	ControlFETforNotebookProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●100TestedforRG Applications ●ControlFETforNotebookProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETfor GraphicsCardsandPOLConvertersin Networkinga	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7807ZTRPBF	文件：1.7673 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=20V,ID=10A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

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