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IRF9956	文件：107.92 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9956	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	30V 2N-Channel MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount VeryLowGateChargeandSwitchingLosses FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=30V ID=2.2A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF9956PBF	文件：169.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9956TR	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	30V 2N-Channel MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount VeryLowGateChargeandSwitchingLosses FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=30V ID=2.2A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF9956PBF	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF9956PBF_15	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
NDS9956	文件：341.13 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDS9956A	文件：341.13 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDS9956A-NL	文件：1.02522 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
OZ9956B	文件：1.79729 Mbytes Page：56 Pages	IntelligentLightingFamily	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
OZ9956B	文件：1.79729 Mbytes Page：56 Pages	IntelligentLightingFamily	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
OZ9956C	文件：1.79729 Mbytes Page：56 Pages	IntelligentLightingFamily	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
OZ9956C	文件：1.79729 Mbytes Page：56 Pages	IntelligentLightingFamily	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
OZ9956E	文件：1.79729 Mbytes Page：56 Pages	IntelligentLightingFamily	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
OZ9956E	文件：1.79729 Mbytes Page：56 Pages	IntelligentLightingFamily	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
PCA9956B	文件：1.45702 Mbytes Page：53 Pages	24-channelFmI2C-bus57mA/20VconstantcurrentLEDdriver	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PCA9956BTW	文件：1.45702 Mbytes Page：53 Pages	24-channelFmI2C-bus57mA/20VconstantcurrentLEDdriver	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PCA9956BTWY	文件：1.45702 Mbytes Page：53 Pages	24-channelFmI2C-bus57mA/20VconstantcurrentLEDdriver	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PCU9956A	文件：1.22747 Mbytes Page：50 Pages	24-channelUFm5MHzI2C-bus57mA/20VconstantcurrentLEDdriver	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PE9956	文件：115.45 Kbytes Page：1 Pages	BREAKOUTCRIMPONFORRG58#8SPADELUGS	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK

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詳細參數(shù)

型號：
IRF9956
功能描述：
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標準包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個 N 溝道（雙） FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市星佑電子有限公司	IRF9956	IOR	06+	原廠原裝	4801	只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF9956	IRF	24+	SOP-8P	30	現(xiàn)貨	詢價
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更多IRF9956供應(yīng)商更新時間2024-12-23 17:06:00

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