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IRFB4310GPBF	文件：291.29 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310PBF	文件：381.53 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ?Lead-Free Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310Z	文件：338.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB4310Z	文件：838.67 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Lead-Free Halogen-Free VDS=100V ID=120A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFB4310ZGPBF	文件：296.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：426.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ?Lead-Free Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPo	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：319.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFL4310	文件：313.03 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：662.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.20廓,ID=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TR	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：1.79548 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFP4310Z	文件：336.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP4310ZPBF	文件：299.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRFB4310GPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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