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IRFL210	文件：1.58503 Mbytes Page：7 Pages	SurfaceMount	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFL210	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFL210PBF	文件：782.91 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=1.5Ohm,ID=0.96A Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
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IRFL210TRPBF-TP	文件：992.24 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,6.0A,0.65Q Features ?Vos=200v +o=60A +Rosin50650@Ves=10V.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFM210	文件：705.26 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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