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零件編號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRFRU220A	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFU220	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU220	文件：55.93 Kbytes Page：7 Pages	4.6A,200V,0.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFU220	文件：340.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU220	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU220	文件：816.14 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR220,SiHFR220) ?Straightlead(IRFU220,SiHFU220) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU220A	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFU220A	文件：345.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU220B	文件：665.75 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFU220B	文件：319.78 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFRTO-220NPBF	IR	22+	DPAK	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFRTO-220NPBF	IR	23+	DPAK	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFRTO-220NPBF	IR	23+	DPAK	7000		詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IRFRTO-220NPBF	IR	24+	DPAK	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFRU024N	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRFS1018ESPBF	INFINEON/英飛凌	22+	D2PAK	18000	只做全新原裝,支持BOM配單,假一罰十	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFS11N50A	IR	23+	TO-263	35890		詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFS11N50A	INTERNATIONA	05+	原廠原裝	4335	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFS11N50A	IR	1415+	TO-263	28500	全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRFS11N50A	IR	24+	原廠封裝	116	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)

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