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IRGSL4B60KD1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGSL4B60KD1
廠商型號(hào)

IRGSL4B60KD1

參數(shù)屬性

IRGSL4B60KD1 封裝/外殼為TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 600V 11A TO262

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

377.18 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 14:22:00

IRGSL4B60KD1規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGSL4B60KD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,4A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    73μJ(開(kāi)),47μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    22ns/100ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,4A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT NPT 600V 11A TO262

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
2016+
TO-262
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
IR
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Infineon
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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TO262
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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全新原裝現(xiàn)貨
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IR
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TO-262
6000
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
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IR
2023+
TO262
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
詢價(jià)
IR
23+
原裝正品現(xiàn)貨
10000
TO262
詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價(jià)