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IRGSL6B60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
IRGSL6B60KD |
參數(shù)屬性 | IRGSL6B60KD 封裝/外殼為TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 600V 13A TO262 |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
文件大小 |
307.26 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-5 16:30:00 |
IRGSL6B60KD規(guī)格書(shū)詳情
Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? Low Diode VF.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Lead-Free
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRGSL6B60KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,5A
- 開(kāi)關(guān)能量:
110μJ(開(kāi)),135μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
25ns/215ns
- 測(cè)試條件:
400V,5A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-262
- 描述:
IGBT NPT 600V 13A TO262
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
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詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
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7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
7000 |
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Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
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INFINEON |
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IR |
23+ |
TO-262 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
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Infineon |
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NA |
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190 |
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20500 |
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IR |
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TO-262 |
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詢價(jià) |