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NESG2030M04-A

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG2030M04-A

Package:SOT-343F;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04

CEL

California Eastern Labs

NESG2030M04

NPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NESG2030M04

NPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG2030M04

NONLINEARMODEL

DESCRIPTION TheNESG2030M04isfabricatedusingNECsstate-of-the-artSiGe,waferprocess.Withatypicaltransitionfrequencyof60GHztheNESG2030M04isusableinapplicationsfrom100MHztoover10GHz.MaximumDCcurrentinputof35mAprovidesadevicewithausablecurrentrangeof250μA

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NESG2030M04-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    2.3V

  • 頻率 - 躍遷:

    60GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 最大值:

    80mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 5mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M04

  • 描述:

    RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
CEL
24+
原廠原封
5000
原裝正品
詢價(jià)
NEC
6000
面議
19
DIP/SMD
詢價(jià)
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
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CEL
2022+
M04
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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CEL
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SOT-343F
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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CEL
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射頻元件
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NEC
24+
SOT343
5000
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NEC
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SOT343
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NEC
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SOT-343
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NEC
20+
SOT343
49000
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
更多NESG2030M04-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 10:40:00