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NESG2030M04

NONLINEAR MODEL

DESCRIPTION TheNESG2030M04isfabricatedusingNECsstate-of-the-artSiGe,waferprocess.Withatypicaltransitionfrequencyof60GHztheNESG2030M04isusableinapplicationsfrom100MHztoover10GHz.MaximumDCcurrentinputof35mAprovidesadevicewithausablecurrentrangeof250μA

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NESG2030M04

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG2030M04

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NESG2030M04-A

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG2030M04-T2

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NESG2030M04-T2

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG2030M04-T2-A

NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG2030M04-EVNF16

包裝:散裝 類別:開發(fā)板,套件,編程器 射頻評估和開發(fā)套件,開發(fā)板 描述:EVAL BOARD FOR NESG2030 1.6GHZ

CEL

California Eastern Labs

NESG2030M04-EVNF19

包裝:盒 類別:開發(fā)板,套件,編程器 射頻評估和開發(fā)套件,開發(fā)板 描述:EVAL BOARD FOR NESG2030 1.9GHZ

CEL

California Eastern Labs

NESG2030M04-EVNF24

包裝:盒 類別:開發(fā)板,套件,編程器 射頻評估和開發(fā)套件,開發(fā)板 描述:EVAL BOARD FOR NESG2030 G5122.4G

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    NESG2030M04

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
19+
SOT-343
87068
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
詢價
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
詢價
NEC
22+
SOT-343
6000
十年配單,只做原裝
詢價
-
23+
SOT343
27000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
NEC
22+
SOT343
3000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價
NEC
23+
SOT-343
6000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價
RENESAS/瑞薩
SOT-343
90000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價
NEC
22+
SOT-343
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
RENESAS/瑞薩
23+
SOT-343
54258
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
詢價
CEL
24+
原廠原封
5000
原裝正品
詢價
更多NESG2030M04供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 14:18:00