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NESG2031M05-A

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ?NF=0.8dBTYP.,Ga=17.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.2GHz ?Maximumstablepowergain:MSG=21.5dBTY

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2031M05

NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-GainAmplification

FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ?NF=0.8dBTYP.,Ga=17.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=5.2GHz ?Maximumstablepowergain:MSG=21.5dBTY

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2031M05

NPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG2031M05

NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNESG2031M05isfabricatedusingNECshighvoltageSiliconGermaniumprocess(UHS2-HV),andisdesignedforawiderangeofapplicationsincludinglownoiseamplifiers,mediumpoweramplifiers,andoscillators. NECslowprofile,flatleadstyleM05Packageprovideshighfrequency

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NESG2031M05-A

  • 功能描述：

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CEL
17+
原廠原封
2500
只做原裝正品
 詢價(jià)
CEL
20+
射頻元件
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
LINEAR
23+
SOT23-6
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
NEC
24+
SOT-343SOT-323-4
12200
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢價(jià)
NEC
2016+
SOT343
798
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)
NEC
24+
SOT343
6980
原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票
 詢價(jià)
NEC
2016+
SOT343
6528
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
 詢價(jià)
NEC
23+
SOT343
12000
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
NEC
24+
SOT343
90000
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理
 詢價(jià)
NEC
6000
面議
19
SOT-343(SOT-
 詢價(jià)
更多NESG2031M05-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-27 14:26:00

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