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SFS4435	文件：1.00378 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SI4435BDY	文件：95.44 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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Si4435BDY	文件：232.84 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?AdvancedHighCellDensityProcess ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DDY	文件：1.16631 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SI4435DDY	文件：279.47 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DDY	文件：279.47 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
Si4435DDY	文件：212.25 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DY	文件：93.27 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features ?–8.8A,–30VRDS(ON)=20mΩ@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SI4435DY	文件：82.64 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V,Rds(on)=0.020ohm VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DY	文件：490.75 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
SI4435DY-HF	文件：523.049 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V ●Pb?FreePackageMaybeAvailable.TheG?SuffixDenotesa Pb?FreeLeadFinish	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
SI4435DYPBF	文件：113.3 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DYPBF	文件：107.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DYTRPBF	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435FDY	文件：192.3 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SM4435KC-TRL	文件：1.00586 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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SPP4435B	文件：1.16631 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

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深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	SE4435	SINO-IC光宇睿芯	22+	SOP-8	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	SE4435	SINO-IC光宇睿芯	23+	SOP-8150mil	22820	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
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更多SE4435供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 15:01:00

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