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SI4435BDY	文件：247.83 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?AdvancedHighCellDensityProcess ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SI4435BDY-T1-E3	文件：1.00126 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?LoadSwitch ?BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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SI4435DDY	文件：1.16631 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SI4435DDY	文件：279.47 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SI4435DY	文件：93.27 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features ?–8.8A,–30VRDS(ON)=20mΩ@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SI4435DY	文件：82.64 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V,Rds(on)=0.020ohm VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DY	文件：490.75 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
SI4435DY-HF	文件：523.049 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V ●Pb?FreePackageMaybeAvailable.TheG?SuffixDenotesa Pb?FreeLeadFinish	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
SI4435DYPBF	文件：113.3 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DYPBF	文件：107.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DYTRPBF	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435FDY	文件：192.3 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SM4435KC-TRL	文件：1.00586 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SI4435BDY
制造商：
Vishay Intertechnologies
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市得捷芯城科技有限公司	SI4435BDY	Vishay(威世)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	16048	原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫(kù)存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期	詢價(jià)
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更多SI4435BDY供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-21 20:00:00

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