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SI4435ADY-T1-E3	文件：1.00307 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SI4435BDY	文件：95.44 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435BDY	文件：247.83 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?AdvancedHighCellDensityProcess ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
Si4435BDY	文件：232.84 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?AdvancedHighCellDensityProcess ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DDY	文件：1.16631 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SI4435DDY	文件：279.47 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DDY	文件：279.47 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ?BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
Si4435DDY	文件：212.25 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4435DY	文件：93.27 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features ?–8.8A,–30VRDS(ON)=20mΩ@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SI4435DY	文件：82.64 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V,Rds(on)=0.020ohm VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DY	文件：490.75 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
SI4435DY-HF	文件：523.049 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=-30V ●RDS(on)=0.02Ω@VGS=-10V ●RDS(on)=0.035Ω@VGS=-4.5V ●Pb?FreePackageMaybeAvailable.TheG?SuffixDenotesa Pb?FreeLeadFinish	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
SI4435DYPBF	文件：113.3 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DYPBF	文件：107.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435DYTRPBF	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei	IRF International Rectifier	IRF
SI4435FDY	文件：192.3 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SM4435KC-TRL	文件：1.00586 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SPP4435	文件：233.73 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
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SPP4435B	文件：1.16631 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市百域芯科技有限公司	SI4435ADY-T1-E3	Bychip	23+	SOP8	10000	高品質(zhì)替代,技術(shù)支持,參數(shù)選型	詢價
深圳市澳億芯電子科技有限公司	SI4435ADY-T1-E3	VISHAY	1709+	SOP8	75000	普通	詢價
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SI4435ADY-T1-E3	VBSEMI/臺灣微碧	23+	SO-8	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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深圳市宏捷佳電子科技有限公司	SI4435ADY-T1-E3	VISHAY	2024+	SO-8	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	SI4435ADY-T1-GE3	VISHAY/威世	23+	NA/	56	優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SI4435AP	TASUND/泰盛達(dá)	23+	SOP-8P	11200	原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價

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