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IRFE9130	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTOR REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTOR Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitythe	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9130	文件：16.9 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9130	文件：206.79 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9130	文件：133.06 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=-6.5A) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORS THRU-HOLE-TO-205AF(TO-39) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylow	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9130	文件：327.74 Kbytes Page：7 Pages	-6.5A,-100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFET -6.5A,-100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF9130	文件：16.7 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9130	文件：207.74 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9130	文件：687.87 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs -5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFNJ9130	文件：21.7 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9130	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP9130	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP9130	文件：272.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP9130	文件：315.02 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS9130	文件：265.89 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFY9130	文件：14.31 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY9130C	文件：164.07 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)100V,P-CHANNELHEXFET?MOSFETTECHNOLOGY PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130C	文件：15.63 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY9130C	文件：834.09 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130CM	文件：300.01 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.3ohm,Id=-11.2A) PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130CM	文件：164.07 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)100V,P-CHANNELHEXFET?MOSFETTECHNOLOGY PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFC9130
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
MOSFET P-CHANNEL 100V - Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市振宏微科技有限公司	IRFC9130	IR	23+	SMD	9888	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFC9130	IR	22+	N/A	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFC9130	IR	23+	N/A	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFC9130	IR	23+	N/A	7000		詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	IRFC9140	IR	1244+	裸片	1066	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	IRFC9140	IR	23+	裸片	10000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	IRFCM2400		23+		65480		詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFD010	IR	05+	原廠原裝	4340	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFD010	IR	23+	DIP-4	8238		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFD010	IOR	24+	DIP-4P	158		詢價(jià)

更多IRFC9130供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 17:24:00

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