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IRFR5505	文件：1.43536 Mbytes Page：5 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-60VID=-10A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR5505	文件：720.54 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5505	文件：108.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.11ohm,Id=-18A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505GPBF	文件：1.67771 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance VDSS=-55V RDS(on)=0.11? ID=-18A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505GTRPBF	文件：1.64904 Mbytes Page：10 Pages	ultralowon-resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505PBF	文件：1.40006 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505PBF	文件：276.18 Kbytes Page：10 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5505PBF	文件：3.91037 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5505TR	文件：1.43536 Mbytes Page：5 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-60VID=-10A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR5505TR	文件：2.9483 Mbytes Page：5 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures VDS=-60VID=-10A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR5505TRL	文件：3.91037 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5505TRPBF	文件：1.03929 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFR5505TRPBF	文件：276.18 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedprocessTechnolgy	IRF International Rectifier	IRF
IRFRU5505	文件：108.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.11ohm,Id=-18A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU5505	文件：108.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.11ohm,Id=-18A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU5505GPBF	文件：1.67771 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance VDSS=-55V RDS(on)=0.11? ID=-18A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRFU5505PBF	文件：974.87 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFU5505PBF	文件：3.91037 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU5505PBF	文件：1.40006 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
LTC5505	文件：228.25 Kbytes Page：14 Pages	UltraFast??7nsResponseTime15GHzRFPowerDetectorwithComparator	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IRFL5505供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-15 12:17:00

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