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IRG4BC20KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhi

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International Rectifier

IRG4BC20KD

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC20KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedfor highoperatingfrequencies>5.0kHz,andShort CircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXF

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International Rectifier

IRG4BC20KDS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene

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International Rectifier

IRG4BC20KD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene

IRF

International Rectifier

IRG4BC20KD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE

Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

IRF

International Rectifier

IRG4BC20KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAGAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC20KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAGAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC20KDPBF

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC20KS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4BC20KD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，9A

  • 開關(guān)能量：

    340μJ（開），300μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    54ns/180ns

  • 測試條件：

    480V，9A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 16A 60W TO220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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