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IXFR26N60	文件：330.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=250mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFR26N60Q	文件：37.76 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-CLASS HiPerFET?PowerMOSFETsISOPLUS247?Q-CLASS (ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementMode AvalanceRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT26N60	文件：70.95 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET?PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?Internationalstandardpackages ?EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Avalancheenergyandcurrentrated ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT26N60P	文件：248.46 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastRecoveryDiodeAvalancheRated PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastRecoveryDiodeAvalancheRated Features ?FastRecoverydiode ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Internationalstandardpackages ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT26N60Q	文件：107.91 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features ●Lowgatecharge ●Internationalstandardpackages ●EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Avalancheenergyandcurrentrated ●Fa	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV26N60P	文件：248.46 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastRecoveryDiodeAvalancheRated PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastRecoveryDiodeAvalancheRated Features ?FastRecoverydiode ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Internationalstandardpackages ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV26N60PS	文件：248.46 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastRecoveryDiodeAvalancheRated PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastRecoveryDiodeAvalancheRated Features ?FastRecoverydiode ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Internationalstandardpackages ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX26N60	文件：367.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX26N60Q	文件：103.5 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class Features ●Lowgatecharge ●Internationalstandardpackages ●EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Avalancheenergyandcurrentrated ●FastintrinsicRectifier Advantages ●Easytomount ●Spacesavi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH26N60P	文件：380.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ26N60P	文件：300.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTT26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV26N60P	文件：294.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTV26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV26N60PS	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SIHFP26N60L	文件：226.66 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFP26N60L	文件：159.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFP26N60L	文件：444.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFR26N60
功能描述：
MOSFET 23 Amps 600V 0.25 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXFR26N60Q	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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更多IXFR26N60供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-2 13:59:00

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