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IXGP12N100A

IGBT

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?SecondgenerationHDMOS?process ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DCchopper

IXYS

IXYS Corporation

IXGP12N100A

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

IXYS

IXYS Corporation

IXGP12N100AU1

IGBT - Combi Pack

Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA ?IGBTwithantiparallelFREDinonepackage ?SecondgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?FastRecoveryExpitaxialDiode(

IXYS

IXYS Corporation

IXGP12N100AU1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

IXYS

IXYS Corporation

IXTH12N100

MegaMOSFET

N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS?process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTH12N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH12N100L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.3Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH12N100L

LinearTMPowerMOSFETw/ExtendedFBSOA

Linear?PowerMOSFETw/ExtendedFBSOA N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?InternationalStandardPackage ?DesignedforLinearOperation ?AvalancheRated ?MoldingEpoxyMeetsUL94V-0 FlammabilityClassification Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?High

IXYS

IXYS Corporation

IXTH12N100Q

NotforNewDesigns:Contactthefactoryforleadtimes(partisstillavailableforpurchase).

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商

IXTM12N100

MegaMOSFET

N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS?process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

RM12N100LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheRM12N100LDusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures VDS=100V,ID=12A RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGP12N100A

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    4V @ 15V，12A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    100ns/850ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，12A，120 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
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TO-220AB
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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IXYS/艾賽斯
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TO220
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全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
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更多IXGP12N100A供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 16:03:00

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