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NESG2021M05-A

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

FEATURES ?Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ?NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz ?Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2021M05

NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-GainAmplification

FEATURES ?Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ?NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz ?Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT

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瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2021M05

NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NESG2021M05-A

  • 功能描述：

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
24+
M05
1634
詢價
CEL
24+
原廠原封
4000
原裝正品
 詢價
NEC
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
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RENESAS/瑞薩
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SOT23-4
6852
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2020+
現(xiàn)貨
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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射頻元件
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NEC
17+
SOT-343
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
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NEC
2016+
SOT343
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更多NESG2021M05-A供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 15:30:00

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