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IRFC450	文件：47.75 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERMOSFETDIE	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFM450	文件：15.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM450	文件：181.56 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■HermeticallySeale	IRF International Rectifier	IRF
IRFM450	文件：182.42 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFMA450	文件：163.6 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TablessTO-254AA)	IRF International Rectifier	IRF
IRFMA450	文件：166.88 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：218.18 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.415ohm,Id=12A) RDS(on)0.415? ID12A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：184.1 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-1) RDS(on)0.415? ID12A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRF International Rectifier	IRF
IRFN450	文件：185.29 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP450	文件：90.99 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-0.33ohm-14A-TO-247PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.33? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF450
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRF450	ST	24+	TO-03	66800	原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！	詢(xún)價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRF450	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢(xún)價(jià)
深圳市東來(lái)寶電子科技有限公司	IRF450	IR	24+	TO-3	9750	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF450	IR	1215+	CAN2	150000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng).	詢(xún)價(jià)
深圳市福田區(qū)綠盛電子商行	IRF450	IR	2015+	TO-3(鐵帽)	19889	一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣(mài)!	詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRF450	IR	96+	TO-3	2500	全新原裝絕對(duì)自己公司現(xiàn)貨特價(jià)!	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF450	IOR	23+	CAN	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢(xún)價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRF450	IR	24+	原廠(chǎng)封裝	5000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRF450	IR	23+	TO-3	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRF450	IR	2020+	TO-3	200	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢(xún)價(jià)

更多IRF450供應(yīng)商更新時(shí)間2025-4-26 9:54:00

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