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IRFP450PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP450PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP450R

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS450

500VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFS450

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS450

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS450

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS450A

AdvancedPowerMOSFET(500V,0.4ohm,9.6A)

FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=500V ?LowerRDS(ON):0.308?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFS450A

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS450B

500VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF450

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST
24+
TO-03
66800
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！
 詢價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
IR
24+
TO-3
9750
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
1215+
CAN2
150000
全新原裝,絕對(duì)正品,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng).
 詢價(jià)
IR
2015+
TO-3(鐵帽)
19889
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!
 詢價(jià)
IR
96+
TO-3
2500
全新原裝絕對(duì)自己公司現(xiàn)貨特價(jià)!
 詢價(jià)
IOR
23+
CAN
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
IR
24+
原廠封裝
5000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IR
23+
TO-3
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
IR
2020+
TO-3
200
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
更多IRF450供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-29 10:27:00

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