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IRF830SPBF	文件：329.34 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF830SPBF	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF830STRLPBFA	文件：238.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF830STRRPBF	文件：179.79 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFHM830D	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallPowIRMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRFHM830DPBF	文件：211.6 Kbytes Page：8 Pages	SynchronousMOSFETforBuckConverters	IRF International Rectifier	IRF
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IRFHM830PBF	文件：250.46 Kbytes Page：9 Pages	CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques	IRF International Rectifier	IRF
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IRFHM830PBF	文件：865.24 Kbytes Page：10 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET Features LowRDSon(	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IRFHM830TRPBF	文件：865.24 Kbytes Page：10 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET Features LowRDSon(	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFI830	文件：677.18 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescriptionTheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI830B	文件：677.18 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescriptionTheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI830G	文件：170.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=3.1A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap	IRF International Rectifier	IRF
IRFI830G	文件：1.56994 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI830G	文件：979.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
IRFI830G	文件：910.77 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF830S-LF	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF830S-LF	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF830S-LF	IR	23+		7000		詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	IRF830SMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR/VISHAY	22+	SOT-263	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF830SMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	IR	23+	D2-PAK	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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更多IRF830S-LF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 14:00:00

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