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IRF9Z30

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF9Z30

PowerMOSFET

FEATURES ?P-channelversatility ?Compactplasticpackage ?Fastswitching ?Lowdrivecurrent ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformation

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF9Z30

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z30

FastSwitching

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z30

P-CHANNEL50VOLTPOWERMOSFETS

-50Volts,0.14Ohm,HEXFETTo-220ABPlasticPackage TheHEXFET?technologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpwoerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance

IRF

International Rectifier

IRF9Z30PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z30PBF

HEXFETPOWERMOSFET

IRF

International Rectifier

SIHF9Z30

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SiHF9Z30

FastSwitching

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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更多IRF9Z30N供應商 更新時間2025-1-31 11:03:00

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