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IRFB23N15	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB23N15D	文件：1.18321 Mbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFB23N15D	文件：371.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB23N15DPBF	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB23N15DPBF	文件：1.81375 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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IRFS23N15D	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
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