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IRF9Z24NL	文件：168.45 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NL	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：394.15 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NPBF	文件：2.35591 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NPBF	文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NS	文件：1.09621 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z24NS	文件：168.45 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NS	文件：931.36 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF9Z24NS	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSPBF	文件：394.15 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSTRLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24NSTRR	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24PBF	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24PBF	文件：1.81473 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9Z24PBF	文件：1.50137 Mbytes Page：8 Pages	powermosfet	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z24S	文件：311.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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更多IRF9Z24NF供應商更新時間2025-1-10 10:00:00

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