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IRL1404	文件：339.15 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign,providethedesignerwithanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤4.0m? ?Enhancementmode ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL1404L	文件：134.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET-RPowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRL1404LPBF	文件：653.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
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IRL1404S	文件：299.06 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL1404SPBF	文件：653.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
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